【課題】高強度で、かつ、優れた加工性を有する銅合金、及び、この銅合金からなる銅合金塑性加工材を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、かつ、酸素量が５００原子ｐｐｍ以下とされており、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされている。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされている
さらに、少なくともＡｌ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｒの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらにＮｉを３．０原子％超えて２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＰｄ及びＡｇの１種又は２種以上を、それぞれ０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＮｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。
また、中間熱処理後であって仕上加工前の銅素材における平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＣｒおよびＺｒの１種以上を、それぞれ０．００１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕおよび不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下である。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 高温多湿の環境下でもＡＣ耐電圧の低下を抑制することができるサージアブソーバおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 互いに間隔を空けて対向配置された一対の主放電電極部材５と、一対の主放電電極部材５の少なくとも互いの対向面を内部に放電制御ガスと共に封止するガラス製の絶縁性管７とを備え、絶縁性管７の外表面のうち少なくとも主放電電極部材５の周囲の面に、絶縁性容器のガラス材料よりもアルカリ金属の含有量が少ない又は含有しない金属酸化物膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ｇａ：１５〜４０原子％を含有し、さらに、Ｂｉ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金を１０５０℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】切削開始初期段階においてすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、ＡｌとＣｒの複合窒化物層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は柱状結晶組織を有し、刃先の柱状結晶組織の成長軸線方向は、工具基体表面の垂直方向に対して傾斜しており、刃先の逃げ面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって１８±５°であり、また、刃先のすくい面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって３０±５°である表面被覆切削工具。 （もっと読む）