【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】非接触による確実な入力が可能な操作装置を実現すること。
【解決手段】電磁場を検出するセンサ２５と、電磁場に感応するセンサから出力される検出信号に対してＰＬＬ同期した信号を発振させる第１ＰＬＬ回路２８Ａと、センサから出力される検出信号に対してＰＬＬ同期した信号を発生させる第２ＰＬＬ回路２８Ｂと、第１ＰＬＬ回路の出力信号と第２ＰＬＬ回路の出力信号とをミキシングする第１ミキサ３０と、第１ミキサの出力信号から所定周波数以上を遮断する第１ローパスフィルタ３１と、を有し、出力装置は、第１ＰＬＬ回路及び第２ＰＬＬ回路の同期確立直前における位相雑音に起因する周波数変動に応じて、同期確立直前の状態であることを操作者に伝達する装置である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、前方に存在する障害物を精度よく検出することができるようにする。
【解決手段】前照灯投光装置によって、光が照射される照射領域の上端部であるカットライン境界部分の明度が変化するように前方を照射する。撮像装置１２によって、自車両の前方を撮像する。カットライン検出部２０によって、撮像された画像から、高さ方向の輝度変化に基づいて、カットライン境界部分のエッジ対を検出する。障害物検出部２２によって、検出されたカットライン境界部分のエッジ対の高さ方向の幅に基づいて、自車両の前方に存在する障害物を検出する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増加させることなく、過電流の発生を防止して直流電源をプリチャージおよび／またはディスチャージすることが可能な電源システムを提供する。
【解決手段】電力変換器５０は、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のオンオフを切換えることによって、直流電源１０および直流電源２０を並列に充放電させる動作と、直流電源１０および直流電源２０を直列に接続して両者を共通に充放電する動作とを切換えるように構成される。制御装置４０は、直流電源２０を直流電源１０によってプリチャージまたはディスチャージする際に、直流電源１０が周期的に充放電を繰り返す一方で、直流電源２０がプリチャージ時には充電のみ、ディスチャージ時には放電のみとされ、かつ、各スイッチング周期内で直流電源１０および２０の電流が共通となる期間を有するように、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のオンオフを制御する。 （もっと読む）

【課題】チェーン式無段変速機のチェーンを構成するリンクの応力振幅を低減する。
【解決手段】１個の幅方向ユニット５４内では、３個のリンク４０はそれぞれ異なるリンクユニット４６に属する。チェーンの右端および左端から第１列目と第６列目のリンクは、同一のリンクユニット（第１リンクユニット４６-1）に属する。第２列目と第５列目のリンクは、同一のリンクユニット（第２リンクユニット４６-2）に属する。第９列目と第１０列目のリンクは、同一のリンクユニットであって、第２，５列目のリンクが属するリンクユニット以外のリンクユニット（第１リンクユニット４６-1または第３リンクユニット４６-3）に属する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ原子などの２価の金属原子を含有し、有機溶媒などの有機物中での分散性（特に、再分散性）に優れた有機無機層状複合体を提供すること。
【解決手段】下記式（１）：
[Ｒ^１_ｎＳｉＯ_(4-n)/2]_ｘ[(Ｍ^１_2/2Ｏ)_ｙ(Ｍ^２_2/3Ｏ)_ｚ][Ｈ_２Ｏ]_ｗ （１）
（式（１）中、Ｒ^１は有機基を表し、Ｍ^１は２価の金属原子を表し、Ｍ^２は３価の金属原子を表し、ｎは１〜３の整数であり、ｘ、ｙおよびｚは、０．５≦ｘ／（ｙ＋２ｚ／３）≦３で表される条件を満たす任意の数であり、ｗは構造水の分子数を表す。）
で表されるものであり、２価の金属原子と３価の金属原子の合計原子数１００に対して３価の金属原子の原子数が１〜６６％であることを特徴とする２価−３価金属系有機無機層状複合体。 （もっと読む）

【課題】各種の外部電源からバッテリを効果的に充電する。
【解決手段】インバータ１２は、正負母線間に配置されたスイッチング素子１６の直列接続により構成されるレグを複数有し、直流電源からの直流電力を正負母線に受け、スイッチング素子のスイッチングによってレグの中点から前記直流電力を交流電力に変換してモータ１８に供給する。ダイオードブリッジ２２は、ダイオード２４の直列接続により構成されるレグを複数有し、外部電源２０からの電力をレグの中点に受け入れ、これを整流して直流出力を得る。そして、ダイオードブリッジ２２の一端を、インバータの一方の母線に共通接続し、他端を、それぞれ別々にインバータ２２の各相の中点に接続する。 （もっと読む）

【課題】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通ＩＧＢＴのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０の保護部３６は、配線下層１１Ｂと、配線下層１１Ｂとは異なるバンドギャップを有する配線上層１３を有している。配線上層１３は、第１部位４１と中間部位４３と第２部位４５を含んでいる。配線上層１３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガス層が、第１部位４１と中間部位４３の間で分離されており、第２部位４５と中間部位４３の間で分離されている。第１部位４１と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ドレイン電極２１に電気的に接続されている。第２部位４５と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ソース電極２８に電気的に接続されている。中間部位４３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ゲート電極２５に電気的に接続されている。 （もっと読む）