【課題】製造工程数を増やすことなく放熱用フィンと配線回路を同一面上に備える。
【解決手段】部品内蔵基板１は、第１〜第４プリント配線基材１０〜４０を熱圧着により一括積層した構造を備える。第１プリント配線基材１０の表面には、パターン形成された信号用配線１２及び放熱用フィン１３が形成され、第１樹脂基材１１に形成されたビアホール内に充填された導電ペーストからなる信号用ビア１４及びサーマルビア１５がこれらに接続されている。信号用配線１２及び放熱用フィン１３は、例えばサブトラクティブ法により、同一工程にて同時にパターン形成される。第２プリント配線基材２０の第２樹脂基材２１に形成された開口部２９内には、電子部品９０の裏面９１ａがサーマルビア１５と接続された状態で内蔵されている。電子部品９０の熱は、電子部品９０の裏面９１ａに接するサーマルビア１５を介して放熱用フィン１３から放熱される。 （もっと読む）

【課題】電子部品内蔵基板の反りを抑制する。あるいは、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造する。
【解決手段】電子部品内蔵基板の製造方法が、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第１基板を準備することと、開口部を有する第２基板を準備することと、第１基板から部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、切り出された基板片を第２基板の開口部内に配置し、固定することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高い信頼性を有する半導体実装部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第２基板３００が、上方へ突き出る第２接続導体３３２Ｐを備える。第１基板５００が、上方へ突き出る第１接続導体８７２Ｐを備える。例えば半導体実装部材を外部基板に実装する際に生じる応力を、第１接続導体３３２Ｐで第１基板側へ逃がすと共に、第２接続導体８７２Ｐで第２基板側へ逃がし、靱性が高く脆い半導体素子９０へ加わる応力を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】はんだの再リフローが不要となることにより製品設計またはプロセス設計などの自由度をより向上させ、かつ、余計な平坦化処理も不要とする。
【解決手段】配線基板１の導電性ペーストビアと、インターポーザ基板２の下面の電極２２とが対応するように、インターポーザ基板２を配線基板１に対して位置決めし、その後、そのように位置決めされた配線基板１およびインターポーザ基板２を熱プレスにより積層する。このとき、導電性ペーストの硬化処理と、インターポーザ基板２の上面の電極２２の平坦化処理が一緒に行われる。その後、インターポーザ基板２の上面の電極２２と、ベアチップ３の微小バンプ３１とが対応するように、ベアチップ３をインターポーザ基板２に対して位置決めし、フリップチップボンダ等で実装する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造及び組立て作業性で、高温化を抑制したトランスを得る。
【解決手段】この発明に係るトランスは、ガラスエポキシ樹脂にコイルパターン１０を内蔵したコイル基板３と、このコイル基板３に対面して設けられているとともにガラスエポキシ樹脂に放熱パターン１１を内蔵した放熱基板６と、この放熱基板６を支持したベース８とを備え、コイルパターン１０に流れる電流により発生した熱は、放熱パターン１１を通じてベース８に流れるようになっている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも機械的強度が向上した基材を提供すること。
【解決手段】本基材は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に、接着層を介して接合されたシリコン層又はガラス層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が大きく、かつ多機能、高機能の複合配線基板を提供すること。
【解決手段】上面中央部に電子部品Ｅ１を搭載する第１の配線基板１と、この第１の配線基板１の上面に電子部品Ｅ１を囲繞する開口部２ａを有して接合された第２の配線基板２と、この第２の配線基板２の上面に開口部２ａを塞ぐように接合された第３の配線基板３とを備えて成る複合配線基板１０であって、開口部２ａの内側における第１の配線基板１と第３の配線基板３との間に、第２の配線基板２と異なる層構成または異なる材料から成る第４の配線基板４が接合されている複合配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】本発明はモジュールと親基板との間の接続状態を容易に確認できるモジュールを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために配線基板１２の下面に装着された接続基板１７には、この接続基板１７の上面において、接続パッド１６に対向して配置され、接続パッド１６とはんだ１９で接続された接続パッド１８と、この接続パッド１８と接続されるとともに、接続基板１７の側面に形成された接続端子２０とを備え、接続基板１７の側面において接続端子２０の両側には、接続端子２０の不形成部２１を設け、この接続端子２０の端部２０ａは、配線基板１２の外周から内方側へ距離２２だけ離れた位置に配置され、接続端子２０とスパッタ金属膜１５とを電気的に非接続としたものである。これにより、接続基板１７の側面に接続端子２０を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 多配線への対応及び電源強化を図りながら歩留まりが下がらない半導体実装部材を提供する。
【解決手段】 半導体実装部材１００を第２基板１１０と第１基板１０との２つのプリント配線板で構成するため、多配線への対応及び電源強化の目的で、１枚のビルドアップ基板の層数を増やしサイズを大きくするのと比較し、歩留まりが低下しない。製造時間がの長くかかるビルドアップ基板と、製造時間の短い積層基板とを組み合わせることで、全体の製造時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】
高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板を提供すること。
【解決手段】
高速信号伝送用基板は、第１接地パターンと、前記第１接地パターンの両面に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に形成される第１導電パターンとを有する第１基板部と、第２接地パターンと、前記第２接地パターンの両面に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の表面に形成される第２導電パターンとを有する第２基板部と、前記第１基板部と前記第２基板部とを対向させた状態で、前記第１基板部の前記第１導電パターンと、前記第２基板部の前記第２導電パターンとを接続する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】めっきスルーホール等が設けられたベース配線板の上に外層基板を積層するプレス工程をホットアンドホット方式で行うとともに、成形された多層プリント配線板の厚みのばらつきを低減する。
【解決手段】表面にめっきスルーホール４が設けられたベース配線板６を用意し、
ベース配線板６を、その両側から、溶剤を含まない流動性高分子前駆体からなる接着フィルム７、外層基板８、離形フィルム９および弾性板１０でこの順に挟み込んで、マット構成１１を形成し、
弾性体熱板１２でマット構成１１を加熱加圧することで、めっきスルーホール４に溶融した接着フィルム７の流動性高分子前駆体を充填し、ベース配線板６の上に外層基板８が積層された多層プリント配線板を成形し、
前記多層プリント配線板の流動性高分子前駆体を硬化させる熱硬化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】導電材料によるランド間の電気的な接続を確保する。
【解決手段】基材２０のスルーホール１１内に充填された穴埋め材１２を用いて、スルーホール１１のランド１４から突出する突起部１５Ａを備えた第１の基板１０Ａと、基材２０のスルーホール１１内に充填された穴埋め材１２を用いて、当該スルーホール１１のランド１４から突出する突起部１５Ｂを備えた第２の基板１０Ｂと、第１の基板１０Ａの突起部１５Ａと第２の基板１０Ｂの突起部１５Ｂとの間に配置した融解中の導電材料１６を第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂとの積層方向に押圧することで、第１の基板１０Ａのランド１４と第２の基板１０Ｂのランド１４とを導電材料１６の凝集で電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】生産性の良好なモジュールを得ることを目的とするものである。
【解決手段】複数個の子基板３２が連結部で連結された親基板３２ｂの両面に電子部品３３ａ、３３ｂを装着し、その後で連結部を切断して子基板３２同士を分離し、その後でこれら分離された子基板３２同士の間に隙間が形成されるように、子基板３２を配線基板３６へ実装するとともに、それぞれの子基板３２と配線基板３６とをスペーサ３７を介して接続し、その後で子基板３２の下面側と子基板３２と配線基板３６との間に対し樹脂部３５を同時に形成し、その後で隙間に対応する位置の樹脂部３５と配線基板３６とを切除するので、生産性の良好なモジュール３１を実現できる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板をインサート物質を介して接合する複合基板の製造方法において、該インサート物質の移動を制御する複合基板の製造方法、及び該複合基板の製造方法によって得られる複合基板の提供。
【解決手段】平面をなす主面２ａに機能素子８が配された第一基板２と、該第一基板２と接合させる主面３ａを有する第二基板３とを用い、主面２ａ，３ａのうち少なくとも一方の主面にインサート物質４を形成する工程Ａと、主面２ａ，３ａどうしを向かい合わせて圧接することにより、インサート物質４を介して、第一基板２と第二基板３とを接合させる工程Ｂと、を含む複合基板の製造方法であって、工程Ａにおいてインサート物質４の表面に段差を設けること、及び工程Ｂにおいて前記段差の高い側から低い側に向けて、インサート物質４が移動するように圧接することを特徴とする複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】脆弱な構造を有する第１基板や導電層に第２基板を積層した場合でも、第１基板や導電層の変形や破損を防止することによって、基板間での電気信号の伝送特性が良好な基板間接続構造およびパッケージを提供する。
【解決手段】導電層９が形成され、導電層９の下部に空洞７を有する第１基板２と、導電層９に対応する位置に貫通穴３を有する第２基板１とを、第２基板１と導電層９との間に間隙を開けて導電層９領域以外の領域で固定し、貫通穴３に液体状の導電性材料を挿入して、導電層９に接し貫通穴３の内部に充填された金属を含む貫通導電部１２を形成する基板間接続構造とした。 （もっと読む）

【課題】複数のシリコン基板同士の電気接続長を短くして、寄生容量を最小にするとともに、パッケージ基板全体の反りを抑制して接続信頼性を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ９は、半導体素子を備えた複数のシリコン基板１を内蔵する半導体パッケージにおいて、第１のシリコン基板にシリコン貫通ヴィア２を備え、パッケージ基板を形成するコア基板１０の基材の線膨張係数が、３〜８ｐｐｍ／℃である。 （もっと読む）

【課題】銅コアボールをスペーサ部材として用いて上基板と下基板とを接続する際にモールド樹脂内に多量のはんだが閉じこめられない半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上基板２０を含みその周囲に延在部４０ａを有する上基板用基板材４０の接合パッドに、スペーサ部材として銅コアボール１８を接合するとともに、下基板１２を含みその周囲に延在部５０ａを有する下基板用基板材５０を準備する。上基板用基板材４０を銅コアボール１８を介して下基板用基板材５０に接続する。上基板用基板材４０と下基板用基板材５０との間にモールド樹脂２２を充填して固定する。上基板用基板材４０延在部４０ａと下基板用基板５０の延在部５０ａとを含む部分を除去し、半導体パッケージ１０を個片化する。 （もっと読む）

【課題】配線板の表面および裏面に実装される電子部品を１回の接続工程で製造可能とした部品内蔵多層配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の部品内蔵多層配線板は、第１の印刷配線板と、第１の印刷配線板と同じ大きさの第２の印刷配線板と、第１の印刷配線板の表層に実装される第１電子部品と、第１の印刷配線板と第２の印刷配線板の間に内蔵され、第１電子部品と対向する前記第１の印刷配線板の裏層に実装される第２電子部品とを有する。そして、第１の印刷配線板の第１電子部品および第２電子部品の両端に設けられるスルーホールを用いて、第１の印刷配線板と第１電子部品との接続時に、第１の印刷配線板と第２電子部品との接続を同時に行う。 （もっと読む）