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Fターム[4K022AA16]の内容

化学的被覆 (24,530) | 基材 (6,240) | 有機質の基材表面 (2,310) | プラスチック、ゴム表面 (2,150) | ポリエステル樹脂表面 (198)

Fターム[4K022AA16]に分類される特許

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【課題】本件発明の課題は、量産性が高く、電磁波の透過減衰率の極めて低い電磁波透過用金属被膜、当該電磁波透過用金属被膜の製造方法、及び当該金属被膜を用いた車載用レーダ装置用のレドームを提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するため、基材の表面に無電解めっき工程を経て設けられた、単位面積(1mm)当たり10000個を超える微細金属領域から成る金属被膜であって、互いに隣接する微細金属領域が電気的に隔離されていることを特徴とする電磁波透過用金属被膜、当該電磁波透過用金属被膜の製造方法、及び当該金属被膜を用いた車載用レーダ装置用のレドームを提供する。 (もっと読む)


【課題】ポリマー基材の原料及び形状に制限がなく、該ポリマー基材の表面に対して密着性の高い安定なメッキを形成することができ、かつ導電性に優れる銅メッキポリマー及びその製造方法の提供。
【解決手段】ポリマー基材に対しヨウ素をドープしてポリマーヨウ素複合体を調製するポリマーヨウ素複合体調製工程と、前記ポリマーヨウ素複合体に対し金属種をドープして前記ポリマー基材の内部及び外部に金属粒子を析出させた金属種担持ポリマーを調製する金属種担持ポリマー調製工程と、前記金属種担持ポリマーを銅メッキする銅メッキ工程と、を含むことを特徴とする銅メッキポリマーの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属層を有する積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地層を形成する下地層形成工程と、下地層上に、重合性基、および、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有するポリマーと、反応性基を有するシランカップリング剤とを含む被めっき層形成用組成物を用いて、被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に、めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっきを行い、被めっき層上に金属層を形成するめっき工程と、を備え、下地層形成用組成物および/または被めっき層形成用組成物が、P=O基含有重合性化合物を含み、被めっき層のヤング率が1200MPa以下である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】導電性が良く、且つ、基材粒子に対する導電性金属層の密着性に優れた導電性微粒子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有し、前記導電性金属層として、前記基材粒子表面に直接形成されたニッケルメッキ層を含む導電性微粒子であって、任意に選択した10個の粒子について、前記ニッケルメッキ層の厚さ方向断面を、走査型電子顕微鏡を使用し100000倍の拡大倍率で観察し、長さ500nmのニッケルメッキ層内縁と、その両端から径方向外方に向けて延出する2本の直線と、外周縁から形成される領域を、任意に3つ選択し、少なくとも1つの領域において、破断面に表れる粒界が形成する長径10〜70nmのうろこ形状が、断面積10000nm2当りに3個以上存在する粒子が6個以上存在することを特徴とする
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【課題】ホルムアルデヒドを含有しない無電解銅組成物の提供。
【解決手段】無電解銅および銅合金メッキ浴が開示される。該無電解浴は、ホルムアルデヒドを含んでおらず、環境に優しい。該無電解浴は、安定しており、基体に光沢のある銅または銅合金を堆積する。 (もっと読む)


【課題】高分子材料表面上に優れた平滑性及び密着性を有し、かつ、優れた金属めっきの外観が形成された高分子材料のめっき物の提供。
【解決手段】
高分子材料表面上に、厚さ20ないし200nmの複素環を有する高分子化合物層及び該層に吸着された無電解めっきの触媒能力を有する金属塩から構成されるめっき下地層が形成され、該めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜が形成された高分子材料のめっき物であって、
前記めっき下地層が、以下の(a)乃至(c)のいずれかの方法により形成されることを特徴とするめっき物。
(a)前記高分子材料を、(i)複素環を有する化合物と(ii)酸化剤として機能し且つ無電解めっきの触媒能力を有する金属塩とを含む水溶液に浸漬し、そして引き上げる工程を含む方法
(b)前記高分子材料を、前記複素環を有する化合物を含む水溶液に浸漬し、そして引き上げた材料を、前記金属塩を含む水溶液に浸漬する工程を含む方法
(c)前記高分子材料を、前記金属塩を含む水溶液に浸漬し、そして引き上げた材料を、前記複素環を有する化合物を含む蒸気に接触する工程を含む方法 (もっと読む)


【課題】平滑なプラスチックフィルムの表面であっても、簡便な方法で高い密着性を有する金属薄膜を形成することが可能な、無電解めっきの前処理に有用な組成物、及び該組成物を用いる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多官能性アクリル化合物を含むモノマー成分、還元により金属微粒子を生成可能な金属化合物、アゾ系ラジカル重合開始剤、及びアクリル基含有シランカップリング剤で表面修飾されたシリカ微粒子の疎水性有機溶媒分散液、を含有することを特徴とする無電解めっきの前処理皮膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される1種以上の金属と、没食子酸、没食子酸誘導体およびこれらの塩から選択される1種以上の安定化化合物とのナノ粒子を含む水系触媒溶液を用いる。この水系触媒溶液はスズを含まない。この水系触媒溶液で基体を処理した後無電解金属めっき浴を用いて前記基体上に金属を無電解堆積する。 (もっと読む)


【課題】真空排気装置や加熱炉などの大規模設備を要することなく、導電性基材にも非導電性基材にも酸化亜鉛皮膜を形成できる簡便な方法を提供することである。
【解決手段】基材1上に、ポリシラザンを含有する溶液2を塗布し乾燥させてポリシラザン層3を形成した後、前記基材を亜鉛イオンを含有する水溶液4に浸漬させポリシラザンが水と反応したSiO、Si、及び両方の中間固溶体SiO層、もしくは未反応のポリシラザンの層上に酸化亜鉛を析出させることを特徴とする酸化亜鉛皮膜の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】基材フィルム表面を粗化せず、しかも接着剤を使用しないにも拘わらず、基材フィルムと金属めっき膜との密着性を確保し、更にはフォトエッチング法により金属めっき膜を除去した部分において光透過性と表面平滑性に優れる回路用導電フィルムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材フィルム上にめっき下地層を設け、めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜を設け、金属めっき膜をフォトエッチング処理して基材上にパターン状の金属めっき膜を設けた回路用導電フィルムであって、前記めっき下地層は、複素環を有する化合物、または複素環を有する化合物及び金属塩を含む層であり、前記フォトエッチング処理により金属めっき膜が除去された部分は、基材フィルムの光透過率を100%とした時の値に対して95%以上の光透過率であり、かつ表面粗さRaが50nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】貴金属の析出速度を低下させることなく、該貴金属が均一に析出した導電性粒子を容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】本発明の導電性粒子の製造方法は、芯材粒子の表面にニッケルめっき層を形成し;該ニッケルめっき層の表面を酸化処理し;酸化処理された該ニッケルめっき層の表面に、貴金属めっき層を直接形成する工程を有する。加熱された空気との接触によって前記ニッケルめっき層の表面を酸化処理することが好適である。XPSによって測定されたニッケルのNi2p3スペクトルにおいて、855.7±1.0eVの結合エネルギーを有するNi−O結合の比率が、60%以上となるように酸化処理することも好適である。 (もっと読む)


【課題】パラジウムを含有しない特定の無電解めっき用触媒組成物を用いた無電解めっき皮膜の製造方法と、これにより得られる均一性と導電性とに優れるめっき被覆基板を提供すること。
【解決手段】ポリエチレンイミン中のアミノ基にポリエチレングリコールが結合してなる化合物と、平均粒子径が2〜100nmの銀ナノ粒子とを主構成成分とする銀含有構造体を触媒とする無電解めっき金属皮膜を製造する方法であって、(1)被めっき物表面をカチオン性処理剤で処理する工程、(2)前記工程(1)に引き続き、アニオン性処理剤で処理する工程、(3)前記工程(2)後の処理被めっき物を前記銀含有構造体の水性分散体に浸漬し、その被めっき物に銀含有構造体を吸着させる工程、及び(4)前記工程(3)で得られた銀含有構造体吸着被めっき物を無電解めっき用の金属イオン液(c)に浸漬する工程を有することを特徴とする無電解めっき金属皮膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどにパラジウム構造を低コストで形成するための方法およびパラジウム堆積に使用できる溶液処理可能な塑性物を提供する。
【解決手段】パラジウム塩およびオルガノアミンを含み、還元剤を含まない非触媒パラジウム前駆体組成物であって、この組成物は、実質的に水を含まない。この組成物を、溶液処理方法を使用して基板上に溶液堆積させ、加熱して伝導性パラジウムを形成させ、パターン状のものを含む種々広範の基板にパラジウム層を形成し、電子デバイスのための電気回路または経路を形成する。 (もっと読む)


【課題】
基材上に設けられたプライマー層と、導電性の高分子微粒子、合成樹脂、無機系フィラーを含む塗料をプライマー層上にパターン印刷して形成されためっき下地塗膜層との間で剥離が生じ、密着性に劣る問題があった。
【構成】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、めっき下地塗膜層中の合成樹脂において、Tg(ガラス転移点)が30℃以下の合成樹脂を該めっき下地塗膜層の合成樹脂中に、固形分比率で25〜75質量%含むことでプライマー層との密着性を向上できることを見出し、その結果、基材とパターン化された金属めっき膜との密着性に優れためっき物を提供することができるものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、無電解めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する無電解めっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、無電解めっき液の銅電極を用いて測定した混成電位と、無電解めっき触媒が付与された被めっき層の表面電位との差が0.1V以下であり、被めっき層の表面粗さが200nm未満である、金属膜を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】銀ナノ粒子組成物、およびこの組成物を用い、ワイヤ、ファイバー、フィラメントのような断面積が小さく、長い可とう性物体をコーティングする方法を提供する。
【解決手段】銀ナノ粒子を表面張力が低い溶媒に分散させ、コーティング溶液を作成する。ワイヤをコーティング溶液から引き出し、ワイヤの上に銀ナノ粒子のコーティング層を生成する。次いで、コーティング層をアニーリングし、表面に銀クラッディングを有するワイヤを作成する。このプロセスは、銀クラッディングの上にオーバーコート層を塗布することをさらに含んでいてもよい。 (もっと読む)


【課題】 基材粒子表面が導電性金属層で均一に被覆され、基材粒子と導電性金属層との密着性に優れ、かつ導電性金属層被覆後の粒子強度の低下もない導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る導電性微粒子は、樹脂から構成される基材粒子と、該基材の表面に形成された少なくとも一層の導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、オゾンで処理されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】約210℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる新たな材料の提供を目的とする。
【解決手段】β−ケトカルボン酸銀を含む金属銀の形成材料とする。この形成材料を加熱することによって、約210℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる。前記β−ケトカルボン酸銀の一例としては、例えば、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀およびα−エチルアセト酢酸銀が挙げられる。 (もっと読む)


【目的】高分子繊維材料の強度(強力)を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、(1)高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、(2)ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Aをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、(3)カチオン処理工程を経た高分子繊維材料BをPdとSnのコロイド溶液に浸漬するSn−Pd触媒浸漬工程と、(4)Sn−Pd触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Cを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Sn−Pd処理工程を経た高分子繊維材料Dを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 (もっと読む)


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