Fターム[2G004ZA00]の内容
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Fターム[2G004ZA00]に分類される特許
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導電性多孔質セラミックスの製造法
【課題】抵抗値が低くしかも成形が容易な導電性多孔質セラミックス、特に導電性多孔質セラミックス中空糸の製造法を提供する。
【解決手段】珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を少くとも400℃以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することによって、珪素化チタンを主成分として形成される導電性多孔質セラミックスを製造する。導電性多孔質セラミックスは、好ましくは中空糸膜状として形成される。
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