【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉１０のカメラ取り付け穴１８にカメラ１４を取り付け、反応炉１０内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉１０内にウェーハＷを搬入し、サセプタ１１上に載置する。このとき、ウェーハＷのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ１４で撮影する。そして撮影した画像からウェーハＷの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハＷと同一品種を処理する場合に、反応炉１０内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボの内面が損耗するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に投入されたシリコン原料を溶解させて溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、誘導コイル８に供給される交流電流の周波数を、その標準偏差を０．０２５〜０．０５０ｋＨｚ、かつ、その平均値を２５〜３５ｋＨｚにして変動させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。本発明は、誘導コイルに供給される交流電流の周波数を変動させる際、誘導コイルに供給８される交流電流の周波数に応じ、冷却ルツボ７内に連続投入するシリコン原料の投入速度を調整して変動させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、モリブデンルツボ１４をチャンバー１１内の還元性雰囲気中で熱処理し、表面の酸化膜を除去する空焼き工程と、モリブデンルツボ１４にサファイア原料を投入し、これを融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。還元性雰囲気は、水素濃度が１０ｐｐｍ以上５ｖｏｌ％以下の水素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度を高めて、両面研磨後のウェーハの高平坦度化が可能な両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法を提供する。
【解決手段】ドレッシング時、例えば第１のドレスプレートのリング形状の第１のドレス工具により、上研磨布の研磨作用面のうち、その中央部より隆起した外周部を主にドレッシングする。これと同時に、例えば、第２のドレスプレートの矩形状の第２のドレス工具によって、下研磨布の研磨作用面のうち、その外周部より隆起した中央部を主にドレッシングする。これにより、従来法の等量ドレッシングを施した場合に比べて、上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度が高まり、両面研磨後のウェーハの平坦度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】サファイア融液２１を保持するモリブデンルツボ１４と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げる引き上げ機構１９と、モリブデンルツボ１４を囲繞し、軸方向に分割された上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂからなる抵抗加熱ヒーター１５と、上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂの出力をそれぞれ制御するコントローラ２３とを備える。本発明によれば、モリブデンルツボ１４にかかる熱負荷を微調整することができるため、難溶解物の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）