【課題】リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。
【解決手段】ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子の電極と半導体層の電気的接続を確保しつつ、安定的に製造されることにより、歩留まりが向上される半導体受光素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成されるとともに、前記反射膜を貫いて延び前記半導体層の前記上面部と接する接合部を有する上部電極と、を備え、前記半導体基板の前記半導体層側とは反対側から入射する光を検出する半導体受光素子であって、前記上部電極の前記接合部は、前記反射膜の前記反射主領域の周縁の一部を囲い、前記反射主領域は、前記反射膜のうち、前記接合部の外方に位置する領域と連なっている。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子が設置された複数の温度制御素子を駆動させる場合における消費電力を軽減すること。
【解決手段】ペルチェ駆動回路（６）は、４つの温度制御素子のうちからアナログスイッチ（８）により選択される一部の駆動対象素子を駆動させる。アナログスイッチ（８）は、駆動対象素子を、繰り返し切り換える。 （もっと読む）

【課題】高周波広帯域の信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】光素子０１１５を内蔵した光モジュール筺体と、光モジュール筺体内に一方が内蔵され、他方が露出しているセラミック基板０１０２と、セラミック基板に接続されたプリント基板０１０４とを備えた光モジュールであって、セラミック基板のプリント基板側端部と該セラミック基板側のプリント基板端部の両方に、裏面グランド付きコプレーナ線路０１０７であって、コプレーナ線路を構成する表面グランド用導体パターンが信号用導体パターンの外側に少なくとも２本形成されており、互いに接続されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】形成される金属メッキ層の膜厚による膜応力の不均一により発生する発光特性の不均一を低減するこ構造を備えた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板９と、半導体基板９の第一の面９ａに形成された第一の電極１と、半導体基板９の第二の面９ｂに形成された半導体層２と、半導体層２の表面に形成された絶縁層１２と、絶縁層の表面に形成された第二の電極３と、第二の電極３の表面に形成された金属メッキ層１４と、半導体層２内部に形成され、発光部７となる活性層２ｂとを有する半導体レーザ装置において、半導体層には、発光部の中心位置の一方の側に溝１７が形成され、かつ、当該溝は、その底部に形成される第二の電極の表面が、半導体基板と半導体層との間の界面よりも第一の電極の側に位置する深さまで、更には、その表面に形成される金属メッキ層の表面が、当該界面よりも第一の電極側に位置する深さまで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザの波長調整精度を高めた波長可変レーザ装置を提供する。
【解決手段】 目標波長に一致するように、位相調整信号60、同方向性光結合器フィルタ調整信号59、DBR反射鏡型フィルタ調整信号61の順に、電流値の制御タイミングを設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザでは、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量、即ち外部で観測される光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有するものがある。光出力量が大きいほど進行する初期故障モードのスクリーニングが不十分であり、初期故障率が従来の活性層材料を有する半導体レーザに比べてやや高めである。
【解決手段】製造工程中に室温などの平均的な動作温度に比べて低い温度での大光出力の試験を取り入れることが有効である。これにより、光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有する素子を排除し、期待寿命を延ばす。 （もっと読む）

【課題】筐体温度の推定機能の実装に必要なスペースの増加を従来よりも抑えることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】サーミスタ７により出力される信号に対応する温度が所定の目標温度値となる状態での、筐体の温度とＴＥＣ電流の量の変化との関係に基づいて、ＴＥＣ電流の量とサーミスタ７から出力される信号に対応する温度との組合せと、筐体の温度の推定値と、の関係を特定する。特定された関係と、サーミスタ７から出力される信号に対応する温度と、ＴＥＣ電流の量と、に基づいて、筐体の温度を推定する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を接地するための配線のインダクタンスを従来よりも低減することができる電子機器を提供する。
【解決手段】半導体素子１０と、半導体素子１０と配線によって接続される、半導体素子１０を接地する接地台１４と、を含み、接地台１４の高さが、半導体素子１０と接地台１４とを接続する配線の長さの値と閾値との差が所定の範囲内に収まる高さである。 （もっと読む）

【課題】光変調を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光モジュールの小型化を実現しつつ、光モジュールからの電磁波の放射を抑制する。
【解決手段】多層プリント基板１６には、接地されている複数の配線層とアンチパッドにより絶縁されている貫通ビアが形成されている。この多層プリント基板１６には、同軸コネクタ１８と、高周波クロック信号を生成する強度変調制御ＩＣ２０と、が設置されており、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ａを介して高周波クロック信号が同軸コネクタ１８に入力される。ここにおいて、上記複数の配線層のうちの第１の配線層と第２の配線層との間の配線層には、上記貫通ビアに接続されたオープンスタブが設けられている。 （もっと読む）