【課題】生産性の向上およびアウトガスの低減を図るとともに共振周波数変動およびトルク変動の発生を防止する。
【解決手段】内輪軌道面３０ａ，３０ｂを有する内輪３ａ，３ｂおよび外輪軌道面５０ａ，５０ｂを有する外輪５ａ，５ｂと、これら内輪３ａ，３ｂと外輪５ａ，５ｂとの間に各軌道面３０ａ，３０ｂ，５０ａ，５０ｂにより形成される円環状空間に周方向に間隔をあけて複数配置される転動体７とを備え、軸方向に間隔をあけて配列される２つの転がり軸受１Ａ，１Ｂと、転がり軸受１Ａ，１Ｂの内輪３ａ，３ｂに嵌合されるシャフト１３と、転がり軸受１Ａ，１Ｂの外輪５ａ，５ｂを嵌合させる嵌合孔２５を有するスリーブ２３とを備え、内輪３ａ，３ｂが、軸方向の一端に軌道面３０ａ，３０ｂから離れる方向に延び、レーザ溶接により局所的に熱変形してシャフト１３に接合される突出部３４ａ，３４ｂを備える転がり軸受装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】吊り革に取り付けられた表示機器に内蔵されるバッテリの交換間隔を長くし、メンテナンス費用を削減し、情報量の増大にも対応し、消費電力の大きなバックライトを使用しなくても表示品位の高い吊り革用情報表示装置を提供する。
【解決手段】吊り革のベルト２の取り付け部を挟み２つの平面を有するケース３と、ケース３に外部端末からの情報を受信する受信部２１と、ケース３の一方の平面に情報を表示する電子ペーパーで構成される表示部６と、ケース３に表示部６の情報を切り替え制御する電子回路部５と、ケース３の他方の平面に情報の表示に必要な電力の少なくとも一部を供給する太陽電池９とを備える吊り革用情報表示装置。 （もっと読む）

【課題】近接場光ヘッドに光束を供給するための光曲げ構造を容易に行うことで、加工コスト及び製造コストを低減して製造効率を向上させることができるヘッドジンバルアセンブリを提供することである。
【解決手段】近接場光により記録媒体に情報を記録するヘッドジンバルアセンブリであって、記録媒体の表面に沿って延設され、厚さ方向に撓む板状の撓み部材と、撓み部材の先端側において、記録媒体の表面と対向するように配置され、光束を用いて近接場光を発生するスライダと、光束を前記撓み部材の先端まで導く導光部と、撓み部材と一体に形成されており、撓み部材に対して傾斜しているとともに導光部から出射した光束をスライダに反射するミラー部材とを備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】駆動余力を正確に判別して適切な駆動パルスによる駆動制御を行うこと。
【解決手段】回転検出回路１１０は検出区間Ｔ１〜Ｔ３から成る回転検出区間Ｔ内において誘起信号ＶＲｓが回転状況検出用基準しきい電圧Ｖｃｏｍｐ１を超えたか否かによってステッピングモータ１０５の回転状況を検出し、検出時刻判別回路１１１は、回転検出回路１１０が検出した誘起信号ＶＲｓと検出区間設定用基準しきい電圧Ｖｃｏｍｐ２との交差点を基準として検出区間Ｔ１〜Ｔ３の長さを設定して検出し、制御回路１０３は検出区間Ｔ１〜Ｔ３における回転状況に応じて、相互にエネルギの相違する複数の主駆動パルスＰ１のいずれか又は、各主駆動パルスＰ１よりもエネルギの大きい補正駆動パルスＰ２によってステッピングモータ１０５を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】入力端子に接続される素子のオフセット電圧を補正することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】入力端子を共通に接続したメインアンプとオフセット補正用アンプとを備えたオペアンプであって、メインアンプは、測定用の第１トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第２トランスコンダクタンスアンプと第２トランスコンダクタンスアンプの入力端子に接続された第１の容量とを備え、オフセット補正用アンプは、測定用の第３トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第４トランスコンダクタンスアンプと第４トランスコンダクタンスアンプの一方の入力端子に接続された第２の容量とを備え、オフセット補正用アンプは第４トランスコンダクタンスアンプの他方の入力端子にオフセット電圧調整回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタと相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを同時に形成する半導体装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】相対的に薄いゲート絶縁膜２５を有するＭＯＳトランジスタが形成される領域のフィールド絶縁膜端２３を相対的に厚いゲート絶縁膜２４で覆うことにより、フィールド絶縁膜下部に形成された反転防止拡散層３１から相対的に薄いゲート絶縁膜２５を有するＭＯＳトランジスタのチャネル領域３３をオフセットさせることによって、フィールド絶縁膜の膜厚ばらつきや相対的に厚い第一のゲート絶縁膜２４のエッチングばらつき、および反転防止拡散層によるチャネル端の濃度変動の影響を受けず、ＭＯＳトランジスタのチャネル幅を短く設計した際に生じる狭チャネル効果の影響を抑制することが可能となり、素子特性が安定した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】障害が起きた場合においても、ユーザが情報を把握することができる。
【解決手段】ＥＳＬサーバ２は、情報表示装置１が設置されている位置を示す設置情報を記憶する管理装置記憶部と、障害が起きている第１の情報表示装置１を特定する障害装置特定部と、設置情報に基づいて、第１の情報表示装置１の近傍に設置されている第２の情報表示装置１を特定する近傍装置特定部と、第１の情報表示装置１に関連付けられている表示情報と、第２の情報表示装置１に関連付けられている表示情報とを、当該第２の情報表示装置１に送信する管理装置送信部とを備える。情報表示装置１は、ＥＳＬサーバ２から送信される、第１の情報表示装置１に関連付けられている表示情報と、第２の情報表示装置１に関連付けられている表示情報とを表示する表示部を備える。 （もっと読む）

【課題】工程の増加や占有面積の増加もなく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタの基板電位固定用Ｐ型拡散領域とＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのソースおよびドレイン領域との間に設置されたトレンチ分離領域の深さは、内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタの基板電位固定用Ｐ型拡散領域と内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタのソースおよびドレイン領域との間に設置された前記トレンチ分離領域の深さに比べて深く設定されている半導体装置とした。 （もっと読む）

【課題】工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のＰ型の不純物領域を配置した。 （もっと読む）