【課題】 ライン状の出射面からの光量を簡易な構成にて実現することを課題とする。
【解決手段】 断面が曲線状若しくはＶ字状の透光性の半筒状導光体からなるテールレンズ（１１）と、テールレンズ（１１）の二つの階段状の端面（１１ｄ，１１ｄ）の夫々に設けた複数のＬＥＤ光源（１３）とを備え、前記端面（１１ｄ）と交差する後面（１１ｃ）には、切欠き部反射面（３１）を形成する。これにより、ＬＥＤ光源（１３）を点灯したときにはテールレンズ（１１）の前面（１１ａ）がライン状発光部（１０ａ）として機能する。このときにライン状発光部（１０ａ）から照射する光は、端面（１１ｄ）に設けた複数のＬＥＤからの光とすることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型の液晶表示装置において柱状スペーサーに起因する光抜けを抑制して表示品位を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板、各基板に設けられた垂直配向膜、一対の基板間に配置された複数の柱状スペーサー、一対の基板間に設けられた液晶層、一対の偏光板を含む。垂直配向膜には一軸配向処理が施され、液晶層の層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向４３は第１方向４１に略平行である。各偏光板の吸収軸４８と４９は互いに略直交し、かつ各々が第１方向及びこれに略直交する第２方向のいずれに対しても略４５°の角度で配置される。各柱状スペーサーは、断面が台形状であって上底面、下底面及び当該上底面と下底面の間の２つの斜面を有し、当該２つの斜面の各々を画定する外縁部の平面視における延在方向が第１方向４１又は第２方向に対して４５°±１０°の角度で配置される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置１０は、基板１５の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管１２と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器２０と、を含む。副噴射器２０の内部に設けられた遮熱器２５は、押さえガスが流入する流入側開口部２６ａと押さえガスを噴出する流出側開口部２６ｂとを有する枠体２６と、枠体２６の内部に収容された複数の粒状の充填材２７と、を含む。
充填材２７は、流出側開口部２６ｂから流入側開口部２６ａへの見通し経路を形成しないように枠体２６の内部に収容されている。 （もっと読む）